Электронные свойства полупроводников

Поведение примеси железа в кристаллах Hg$_3$In$_2$Te$_6$

О. Г. Грушка, А. И. Савчук, С. Н. Чупыра, С. В. Биличук

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58000 Черновцы, Украина

Аннотация: На основе результатов оптических и фотоэлектрических измерений установлено, что легирование железом приводит к образованию в кристаллах Hg$_3$In$_2$Te$_6$ глубокого уровня $E_c$ – 0.69 эВ. При поглощении света примесными центрами Fe$^{2+}$ наблюдаются как электронные переходы примесной уровень-зона проводимости, так и оптические переходы между основным и возбужденным состояниями названного центра (внутрицентровые переходы). Исследования явлений переноса показали, что примесные центры Fe$^{2+}$ проявляют акцепторные свойства.

Поступила в редакцию: 02.12.2014
Принята в печать: 15.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 892–894

Реферативные базы данных:

•