RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 887–898 (Mi phts7328)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Обзоры

Нанокластеры кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_x$ : H (0 $<x<$ 2). Обзор

Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В работе проведен обзор литературы, касающейся плазменных способов получения и исследований нанокластеров кремния (ncl-Si) в кристаллической ($c$-SiO$_2$) и в аморфной ($a$-SiO$_x$ : H) матрицах. Рассмотрено влияние модуляции разрядов, высокочастотного (RF) или на постоянном токе (DC), на кинетику роста ncl-Si. Анализ результатов изучения состава плазмы проведен на основе исследований методами инфракрасной спектроскопии, масс-спектрометрии и сканирования лазерным лучом. Описано поведение наночастиц в зависимости от их заряда и размеров в плазме под действием электрических, магнитных, гравитационных сил, а также под влиянием газодинамики входящих в плазму газов. Проанализированы данные изучения матрицы (пленок $a$-SiO$_x$ : H) с помощью инфракрасной спектроскопии. Также описаны фотолюминесцентные свойства ncl-Si, получаемых различными способами.

Поступила в редакцию: 13.10.2014
Принята в печать: 18.11.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 867–878

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026