Эта публикация цитируется в 1 статье

Обзоры

Теория электронной структуры полупроводниковых твердых растворов замещения. Аналитические подходы. Обзор

А. Ю. Захаров

Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия

Аннотация: Работа посвящена обзору методов прогнозирования электронной структуры полупроводниковых неупорядоченных твердых растворов преимущественно изоэлектронного замещения. Особое внимание уделено методам аналитического исследования существующих моделей твердых растворов. Приведено приближенное уравнение для порога локализации электронных состояний в модели Лифшица и оценена погрешность этого уравнения. С помощью уравнений Фаддеева выполнен анализ вкладов возмущающего потенциала одиночной примеси и искажений кристаллической решетки в окрестности примесного центра. Выполнены оценки вкладов собственно примесных потенциалов и объемных эффектов в формирование электронной структуры твердых растворов полупроводников. Приведены методы вычисления матричных элементов возмущающих потенциалов изоэлектронных примесей в растворах с учетом деформационных эффектов. Представлена схема расчета зависимости ширины запрещенной зоны многокомпонентных растворов от состава. Выполнен сравнительный анализ различных методов прогнозирования связанных состояний электронов на одиночных изоэлектронных примесях в полупроводниках. Представлена теория энергетического спектра заряженных примесей в изоэлектронных твердых растворах.

Поступила в редакцию: 30.09.2014
Принята в печать: 11.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 843–866

Реферативные базы данных:

•