Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. С. Коготков, Ю. Т. Ребане, М. В. Вирко, Ю. Г. Шретер, “Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6,страницы 847

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов

Н. И. Бочкарева^a, А. М. Иванов^a, А. В. Клочков^a, В. С. Коготков^b, Ю. Т. Ребане^a, М. В. Вирко^b, Ю. Г. Шретер^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показано, что в светодиодах с квантовыми ямами InGaN/GaN эффективность излучения и уровень $1/f$ шума коррелируют с изменением дифференциального сопротивления диода при увеличении тока. Анализ результатов показывает, что прыжковый транспорт по состояниям дефектов через $n$-область объемного заряда приводит к ограничению тока туннельным сопротивлением в области средних токов и шунтированию $n$-барьера при больших токах. Увеличение среднего числа туннелирующих электронов вызывает подавление токового $1/f$ шума в области средних токов. Сильный рост плотности токового шума при больших токах, $S_J\propto J^3$, связывается с уменьшением среднего числа туннелирующих электронов при уменьшении высоты и ширины $n$-барьера с ростом прямого смещения. Более быстрый рост туннельно-рекомбинационной утечки тока вдоль протяженных дефектов по сравнению с ростом тока туннельной инжекции приводит к падению эффективности излучения.

Поступила в редакцию: 10.11.2014
Принята в печать: 11.11.2014