Г. Гулямов, А. Г. Гулямов, “Тензочувствительность $p$–$n$-перехода при освещении”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6,страницы 839

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Тензочувствительность $p$–$n$-перехода при освещении

Г. Гулямов^a, А. Г. Гулямов^ab

^a Наманганский инженерно-педагогический институт, 160103 Наманган, Узбекистан
^b Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, 100084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Рассмотрено влияние света на тензочувствительность $p$–$n$-перехода. Показано, что тензочувствительностью освещенного $p$–$n$-перехода можно управлять постоянной деформацией $\varepsilon_0$, частотой света $\omega$ и ее интенсивностью $I_0$. Установлено, что вблизи критических точек под действием деформации коэффициент поглощения может сильно измениться и вследствие этого коэффициент тензочувствительности $p$–$n$-перехода может принимать аномально большие значения.

Поступила в редакцию: 29.05.2014
Принята в печать: 04.09.2014