Эта публикация цитируется в 6 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Экситоны Ваннье–Мотта в полупроводниках со сверхрешеткой

Р. А. Сурис

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлен анализ влияния движения экситона Ваннье–Мотта в полупроводниках со сверхрешеткой, образованной гетеропереходами, на энергию его связи и волновую функцию. Такая зависимость возникает вследствие того, что законы дисперсии электрона и дырки, образующих экситон в СР, отличаются от квадратичного. Рассмотрена одномерная сверхрешетка, состоящая из чередующихся слоев полупроводников с различающимися энергетическими положениями зон проводимости и валентных зон, т. е. с одномерными ямами и барьерами. Затем дан анализ экситонного состояния в сверхрешетке, состоящей из квантовых точек. Показано, что зависимость энергии связи от квазиимульса экситона тем сильнее, чем ближе друг к другу эффективные массы электронов и дырки. Рассмотрена возможность смены при определенных значениях квазиволновых векторов экситона механизма передачи возбуждения между ячейками сверхрешетки от туннельного к диполь-дипольному.

Поступила в редакцию: 16.12.2014
Принята в печать: 25.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 807–813

Реферативные базы данных:

•