Эта публикация цитируется в 11 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние смещения на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении

О. В. Александров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На основе количественной модели [6] проведен анализ литературных экспериментальных данных по влиянию смещения затвора на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении. Показано, что наряду с водородосодержащими в образцах с малым содержанием водорода имеются безводородные дырочные ловушки; и те и другие распределены неоднородно по толщине подзатворного диэлектрика. В образовании поверхностных состояний помимо ионизованного водорода принимает участие нейтральный водород, дающий основной вклад в образование поверхностных состояний при отрицательном смещении затвора. Падение сдвига порогового напряжения при высоких полях обусловлено ростом дрейфовой составляющей стока дырок на электроды.

Поступила в редакцию: 27.10.2014
Принята в печать: 14.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 774–779

Реферативные базы данных:

•