Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

Эффект Шубникова–де Гааза и термоэлектрические свойства Sb$_2$Te$_3$ и Bi$_2$Se$_3$, легированных таллием

В. А. Кульбачинский, А. А. Кудряшов, В. Г. Кытин

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследовано влияние легирования Tl на эффект Шубникова–де Гааза при $T$ = 4.2 K в магнитных полях до 38 Tл в монокристаллах $p$-Sb$_{2-x}$Tl$_x$Te$_3$ ($x$ = 0, 0.005, 0.015, 0.05) и $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_x$Se$_3$ ($x$ = 0, 0.01, 0.02, 0.04, 0.06). Экстремальные сечения поверхности Ферми в обоих материалах уменьшаются при легировании Tl: концентрация дырок уменьшается в Sb$_{2-x}$Tl$_x$Te$_3$ из-за донорного эффекта Tl и концентрация электронов в $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_x$Se$_3$ из-за акцепторного эффекта Tl. Измерены температурные зависимости коэффициента Зеебека, электрической проводимости, теплопроводности и безразмерной термоэлектрической эффективности в температурном диапазоне 77 – 300 K. Величины теплопроводности и электрической проводимости уменьшаются при легировании Tl как в Sb$_{2-x}$Tl$_x$Te$_3$, так и в $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_x$Se$_3$. Коэффициент Зеебека увеличивается при легировании во всех составах при увеличении легирования во всем измеренном температурном интервале. Термоэлектрическая эффективность растет при легировании таллием.

Поступила в редакцию: 15.10.2014
Принята в печать: 24.10.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 767–773

Реферативные базы данных:

•