В. М. Бойко, В. Н. Брудный, В. С. Ермаков, Н. Г. Колин, А. В. Корулин, “Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6,страницы 782

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Электронные свойства облученного реакторными нейтронами и уровень зарядовой нейтральности GaSb

В. М. Бойко^a, В. Н. Брудный^b, В. С. Ермаков^a, Н. Г. Колин^a, А. В. Корулин^a

^a Физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Обнинский филиал, 249033 Обнинск, Россия
^b Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Исследованы электронные свойства и предельное положение уровня Ферми в кристаллах $p$-GaSb, облученных полным спектром реакторных нейтронов до флюенсов 8.6 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-2}$. Показано, что облучение GaSb реакторными нейтронами приводит к росту плотности свободных дырок до значений $p_{\mathrm{lim}}$ = (5–6) $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$ и закреплению уровня Ферми в предельном положении $F_{\mathrm{lim}}$ вблизи $E_{\mathrm{V}}$ + 0.02 эВ при 300 K. В интервале температур 100–550$^\circ$C исследован отжиг радиационных дефектов.

Поступила в редакцию: 04.10.2014
Принята в печать: 20.10.2014