Электронные свойства полупроводников

Особенности холловских измерений в легированных полупроводниках

В. Ф. Банная

Московский государственный гуманитарный университет им. М.А Шолохова (факультет точных наук и инновационных технологий), 109240 Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрены пределы применимости холловского метода раздельного определения концентрации примесей для случая легирования одной основной примесью. Построена диаграмма в координатной плоскости, где ось абсцисс – безразмерный параметр $N^{1/3}a$ (поскольку используются разные полупроводники), а ось ординат – степень компенсации примесей $K$. Полученная кривая является как обобщением имеющихся в литературе экспериментальных данных, так и результатом проведенного исследования слабо компенсированного Si. Полученная кривая делит плоскость $N^{1/3}a$–$K$ на две части: в I – применим холловский метод определения концентрации примесей, в II – неприменим.

Поступила в редакцию: 08.10.2014
Принята в печать: 06.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 760–762

Реферативные базы данных:

•