Эта публикация цитируется в 3 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур

С. И. Божко, А. М. Ионов, А. Н. Чайка

Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Обсуждается возможность создания упорядоченных низкоразмерных структур на базе атомно-чистых и декорированных атомами металлов ступенчатых поверхностей кремния Si(557)и Si(556). Проведены исследования условий формирования и особенностей атомной структуры регулярных систем ступеней на чистых поверхностях Si(557)7 $\times$ 7 и Si(556)7 $\times$ 7. Атомная структура ступенчатых поверхностей Si(hhm), Ag/Si(557), Gd/Si(557) исследована с помощью сканирующей туннельной микроскопии высокого разрешения и дифракции медленных электронов. Показана возможность создания 1D- и 2D-структур атомов гадолиния и серебра на поверхности Si(557).

Поступила в редакцию: 02.12.2014
Принята в печать: 14.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 753–759

Реферативные базы данных:

•