Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, В. А. Селезнев, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. К. Гутаковский, “Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6,страницы 767

Эта публикация цитируется в 26 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением

Ж. В. Смагина^a, А. В. Двуреченский^ab, В. А. Селезнев^a, П. А. Кучинская^a, В. А. Армбристер^a, В. А. Зиновьев^a, Н. П. Степина^a, А. Ф. Зиновьева^a, А. В. Ненашев^ab, А. К. Гутаковский^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследовался рост нанокластеров Ge на структурированной поверхности Si(100), сформированной сочетанием наноимпринт-литографии и последующего облучения ионами Ge$^+$. Структурированная поверхность представляла собой систему параллельных канавок шириной 100 нм, повторяющихся с периодом 180 нм. Облучение подложки проводилось при двух температурах: комнатной (холодное облучение) и 400$^\circ$C (горячее облучение). Показано, что в процессе эпитаксии (550–700$^\circ$C) остаточные радиационные дефекты под канавками подавляют зарождение нанокластеров Ge в канавках. На структурированных подложках с полностью удаленными дефектными областями нанокластеры растут в канавках.

Поступила в редакцию: 06.11.2014
Принята в печать: 20.11.2014