Эта публикация цитируется в 14 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Физика полупроводниковых приборов

Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов

М. А. Поликарпов^a, Е. Б. Якимов<sup>bc

a</sup> Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
^b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование кремниевых $p$–$i$–$n$-диодов в растровом микроскопе в условиях, имитирующих бета-излучение из радиоактивного источника Ni$^{63}$ с активностью 10 мКи/см$^2$, оценены достижимые параметры бета-вольтаических элементов с таким источником и преобразователем энергии бета-частиц в электрический ток на основе кремния. Показано, что мощность таких элементов может достигать значений $\sim$10 нВт/см$^2$ даже при сантиметровой площади элемента, что достаточно близко к расчетному значению.

Поступила в редакцию: 20.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 746–748

Реферативные базы данных:

•