Я. Л. Шабельникова, Е. Б. Якимов, Д. П. Николаев, М. В. Чукалина, “Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6,страницы 758

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками

Я. Л. Шабельникова^a, Е. Б. Якимов^a, Д. П. Николаев^b, М. В. Чукалина^a

^a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^b Институт проблем передачи информации им. А. А. Харкевича Российской академии наук, 127051 Москва, Россия

Аннотация: Солнечный элемент на пластине мультикристаллического кремния, содержащего границы зерен, исследовался методом наведенного тока. Было проведено сканирование образца пучком электронов, а также лазерным пучком на двух длинах волн (980 и 635 нм). Зарегистрированные карты наведенного тока были совмещены с помощью специально разработанного кода, что позволило анализировать один и тот же участок границы зерна для трех типов измерений. В результате оптимизации невязки между модельными профилями наведенного тока и экспериментально измеренными были получены количественные оценки характеристик образца и дефекта в нем – диффузионной длины и скорости рекомбинации на границе зерна.

Поступила в редакцию: 27.11.2014
Принята в печать: 04.12.2014