RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 741–745 (Mi phts7306)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии

С. М. Пещероваa, Е. Б. Якимовb, А. И. Непомнящихa, Л. А. Павловаa, О. В. Феклисоваb

a Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, 664033 Иркутск, Россия
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Методом наведенного тока, индуцированного электронным пучком, исследована электрическая активность границ зерен в мультикристаллическом кремнии, выращенном из металлургического кремния методом Бриджмена. Выявлены основные тенденции нетипичного проявления локальной электрической активности специальными границами $\Sigma3\{111\}$ и $\Sigma9\{110\}$. Методами дифракции обратно рассеянных электронов и электронно-зондового микроанализа определены структурные особенности границ зерен после селективного травления и характер распределения примесей в мультикристаллическом кремнии.

Поступила в редакцию: 27.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 724–728

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026