RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 737–740 (Mi phts7305)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC

В. И. Орловab, О. В. Феклисоваa, Е. Б. Якимовac

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: Проведены сравнительные экспериментальные исследования одномерных и двумерных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC. Показано, что контраст двумерных дефектов – следов за дислокациями – в методе LBIC может существенно превышать контраст в методе EBIC, что хорошо коррелирует с результатами расчетов. Основной причиной более высокой чувствительности метода LBIC является более глубокое проникновение оптического пучка в материал по сравнению с электронным пучком растрового электронного микроскопа.

Поступила в редакцию: 20.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 720–723

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026