Эта публикация цитируется в 3 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии

О. В. Феклисова^a, Е. Б. Якимов<sup>ab

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: Методом наведенного электронным пучком тока исследовано влияние атомов меди, введенных посредством высокотемпературной диффузии, на рекомбинационные свойства дислокаций и следов за дислокациями в монокристаллическом кремнии $p$-типа. Показано, что после введения меди рекомбинационная активность следов за дислокациями существенно увеличивается в отличие от дислокаций. Обнаружено появление светлого контраста вблизи следов за дислокациями после диффузии меди и закалки образцов, интенсивность которого зависит от плотности дефектов в этих следах.

Поступила в редакцию: 20.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 716–719

Реферативные базы данных:

•