Эта публикация цитируется в 5 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Электронные свойства полупроводников

Формирование межузельного углерода в облученном легированном медью кремнии

Н. А. Ярыкин^a, J. Weber<sup>b

a</sup> Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
^b Technische Universität Dresden, 01062 Dresden, Germany

Аннотация: Влияние примеси меди на спектр дефектов, созданных облучением электронами с энергией 5 МэВ при комнатной температуре, изучается с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней в кристаллах кремния $p$-типа проводимости с низкой концентрацией кислорода. Обнаружено, что межузельные атомы углерода (C$_i$), которые являются доминирующими дефектами в облученных образцах без меди, не выявляются сразу после облучения, если концентрация подвижной межузельной меди (Cu$_i$) превышает концентрацию введенных радиационных дефектов. Это явление связывается c формированием комплекса $\{$Cu$_i$, C$_i\}$, который не имеет уровней в нижней половине запрещенной зоны. Показано, что этот комплекс диссоциирует в процессе отжига при температурах 300–340 K, приводя к появлению межузельного углерода.

Поступила в редакцию: 20.11.2014
Принята в печать: 24.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 712–715

Реферативные базы данных:

•