RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 697–706 (Mi phts7299)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения

Ю. В. Крюченкоa, А. В. Саченкоa, А. В. Бобыльb, В. П. Костылевa, Е. И. Теруковbc, А. С. Абрамовbc, Е. В. Мальчуковаb, И. О. Соколовскийa

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-технологическом институте им. А.Ф. Иоффе, 194064 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Развит подход к расчету характеристик вертикальных (последовательных) тандемных солнечных элементов на основе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H при произвольных углах солнечного освещения. Учтено многократное отражение и преломление электромагнитных волн на внутренних границах раздела тандемного солнечного элемента, в том числе на интерфейсе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. Для расчета коэффициента неидеальности и плотности тока насыщения диодной составляющей вольт-амперной характеристики тандемного солнечного элемента, а также для расчета на основании этих параметров всех его основных фотовольтаических характеристик при произвольных углах падения солнечного излучения использованы общие соотношения, которые позволяют учесть рекомбинацию избыточных носителей заряда как в квазинейтральных областях, так и в областях пространственного заряда рассматриваемой структуры. В результате получены выражения, позволяющие определять все основные параметры составных частей тандемного солнечного элемента, которые необходимы для расчета фотовольтаических характеристик тандемного солнечного элемента в целом. В качестве демонстрации приведены результаты расчетов для стандартных условий освещения АМ1.5G (1000 Вт/м$^2$).

Поступила в редакцию: 27.10.2014
Принята в печать: 07.11.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 683–692

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026