Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра

А. Е. Жуков^abc, Н. В. Крыжановская^ac, М. В. Максимов^acd, А. А. Липовский^ac, А. В. Савельев^abc, И. И. Шостак^a, Э. И. Моисеев^a, Ю. В. Кудашова^a, М. М. Кулагина^d, С. И. Трошков<sup>d

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, 199034 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обнаружено, что тепловое сопротивление микролазеров AlGaAs/GaAs типа “подвешенный диск” диаметром 1.7–4 мкм с квантовыми точками InAs/InGaAs в активной области обратно пропорционально квадрату диаметра микродиска с коэффициентом пропорциональности 3.2 $\cdot$ 10$^{-3}$ K $\cdot$ см$^2$/Вт и составляет 120–20$^\circ$C/мВт.

Поступила в редакцию: 06.11.2014
Принята в печать: 12.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 674–678

Реферативные базы данных:

•