Эта публикация цитируется в 2 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN–ZnS : Mn

Д. А. Курдюков, И. И. Шишкин, С. А. Грудинкин, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская, В. Г. Голубев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изготовлен пленочный трехмерно-упорядоченный макропористый нанокомпозит GaN–ZnS : Mn со структурой инвертированного опала. Проведены структурные исследования нанокомпозита, и показано, что GaN и ZnS : Mn, введенные в поры кремнеземного опала, представляют собой разориентированные друг относительно друга нанокристаллиты. Показано, что синтезированный нанокомпозит является структурно-совершенным трехмерным фотонным кристаллом. Подтверждена эффективность применения буфера из нанокристаллитов GaN для предотвращения взаимодействия поверхности формирующих опаловую матрицу сферических частиц $a$-SiO$_2$ с введенными в поры химически активными веществами.

Поступила в редакцию: 23.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 658–662

Реферативные базы данных:

•