RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 617–627 (Mi phts7285)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb

Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами на примере структуры состава AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb с учетом непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках четырехзонной модели Кейна. Показано, что учет непараболичности приводит к увеличению количества уровней размерного квантования в зоне проводимости. При ширине квантовой ямы 100 $\mathring{\mathrm{A}}$ в исследуемой гетероструктуре имеются 3 уровня размерного квантования в рамках параболической модели и 6 уровней в рамках четырехзонной модели Кейна. Причина этого заключается в том, что высокоэнергетичные электроны оказываются в несколько раз тяжелее, чем электроны на дне зоны проводимости. Также показано, что учет эффекта непараболичности слабо влияет на интеграл перекрытия между $s$- и $p$-состояниями, однако приводит к значительному увеличению плотности состояний в зоне проводимости, что становится причиной существенного роста коэффициента поглощения излучения.

Поступила в редакцию: 15.09.2014
Принята в печать: 23.09.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 604–614

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026