Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок $a$-Si : H, освещенных при повышенных температурах

И. А. Курова, Н. Н. Ормонт

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Исследована кинетика релаксации светоиндуцированной при температуре выше 140$^\circ$C метастабильной темновой проводимости нелегированных пленок $a$-Si : H. Измерения проводились в темноте и при подсветке разной интенсивности. Рассчитанные временные зависимости скорости релаксации темновой проводимости были проанализированы в предположении независимости от освещения термических скоростей генерации и релаксации метастабильных дефектов, образованных предварительной подсветкой. Показано, что особенности кинетики скоростей релаксации при подсветке определяются наличием светоиндуцированных процессов релаксации и генерации медленных метастабильных дефектов, энергетические уровни которых расположены в верхней половине запрещенной зоны.

Поступила в редакцию: 30.06.2014
Принята в печать: 06.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 590–592

Реферативные базы данных:

•