Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnSnS$_4$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия

Аннотация: На монокристаллах Cu$_2$ZnSnS$_4$, выращенных методом химических газотранспортных реакций, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур $T$ = 20–300 K. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанного соединения и построена ее температурная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры увеличивается. Проведен расчет указанной температурной зависимости. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.

Поступила в редакцию: 30.09.2014
Принята в печать: 20.10.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 582–585

Реферативные базы данных:

•