Электронные свойства полупроводников

Полупроводниковые соединения GaInP, легированные изовалентной примесью Sb

А. Ф. Скачков

АО "Сатурн", Краснодар

Аннотация: Получены методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Ge слои GaInP$_{1-x}$Sb$_x$ с различной концентрацией сурьмы. Проведены измерения подвижности носителей зарядов в слоях GaInP$_{1-x}$Sb$_x$ при комнатной температуре и при 77 K. Проведены измерения подвижностей носителей зарядов при комнатной температуре в слоях GaInP$_{1-x}$Sb$_x$, дополнительно легированных донорной и акцепторной примесями. Проведено измерение пиков фотолюминесценции GaInP$_{1-x}$Sb$_x$. Определена зависимость влияния сурьмы на ширину запрещенной зоны GaInP и на подвижность носителей зарядов.

Поступила в редакцию: 31.07.2014
Принята в печать: 20.10.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 579–581

Реферативные базы данных:

•