Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние спин-орбитального взаимодействия на электронную структуру $d$-зон антимонида индия

В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков

Удмуртский государственный университет, г. Ижевск

Аннотация: Определены зоны и плотности состояний $d$-зон антимонида индия InSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия. Установлено, что учет эффекта спин-орбитального взаимодействия приводит не только к дублетному расщеплению полосы остовных $d$-уровней на $\sim$(0.79–0.86) эВ, но и к существенному изменению дисперсии полученных зон. Установлено, что основной вклад в плотность состояний дают 4$d$-состояния индия с симметриями $e_g$ и $t_{2g}$. Расчеты выполнены методом LAPW с обменно-корреляционным потенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA).

Поступила в редакцию: 16.04.2014
Принята в печать: 29.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 570–573

Реферативные базы данных:

•