Эта публикация цитируется в 13 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние условий импульсного лазерного осаждения на структурные, электрические и оптические свойства тонких пленок VO$_2$

О. А. Новодворский^a, Л. С. Паршина^a, О. Д. Храмова^a, В. А. Михалевский^a, К. Д. Щербачев^b, В. Я. Панченко<sup>a

a</sup> Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, 140700 Шатура, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения с сепарацией капель факела на монокристаллических подложках сапфира (0001) и кремния (111) получены тонкие пленки VO$_2$. Установлено влияние плотности энергии на мишени и давления кислорода на структурные и электрические свойства пленок. Все кристаллические пленки VO$_2$ демонстрируют переходы полупроводник-металл со значительным изменением электрического сопротивления от двух до пяти порядков величины. Исследовано пропускание пленок в диапазоне 200 – 800 нм и отражение в диапазоне 400–700 нм в интервале температур от 20 до 100$^\circ$C. Коэффициент пропускания пленок на длинах волн от 300 до 800 нм демонстрирует скачок пропускания и гистерезис при нагреве и охлаждении. Впервые установлено, что характер изменения пропускания пленок на разных длинах волн различается, и вид температурного гистерезиса оптического пропускания в области длин волн видимого и ближнего ультрафиолетовых диапазонов не везде повторяет вид гистерезиса электрического сопротивления пленок VO$_2$. Различное поведение кривых гистерезиса объясняется изменением поглощения в пленках при варьировании температуры.

Поступила в редакцию: 04.09.2014
Принята в печать: 23.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 563–569

Реферативные базы данных:

•