Эта публикация цитируется в 22 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si

М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. С. Гудовских, А. Ю. Егоров

Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Показана возможность создания монокристаллических буферных слоев GaP на подложке Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием методики “эпитаксия с повышенной миграцией” на стадии формирования зародышевого слоя. При формировании слоя GaP на подложке кремния $p$-типа проводимости в подложке естественным образом создается $p$–$n$-переход между подложкой $p$-Si и приповерхностным слоем $n$-Si, который возникает в результате диффузии фосфора в подложку в процессе эпитаксиального роста GaP. Данный $p$–$n$-переход может быть использован в качестве первого перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния.

Поступила в редакцию: 22.09.2014
Принята в печать: 30.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 559–562

Реферативные базы данных:

•