Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Жидкофазная эпитаксия твердого раствора замещения (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) и некоторые электрофизические свойства

А. С. Саидов, Ш. Н. Усмонов, М. С. Саидов

Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, 100084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе Pb на Si-подложках с кристаллографической ориентацией (111) выращены твердые растворы замещения (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94). Рентгеновским микрозондовым анализом исследован химический состав эпитаксиальных пленок и определен профиль распределения компонентов твердого раствора. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности и фотолюминесценция гетероструктур $n$-Si-$p$(Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ при комнатной и азотной температурах. В спектре фотолюминесценций пленок (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0 $\le y\le$ 0.94) на фоне широкого спектра излучения обнаружены два максимума. Основной максимум с энергией 1.45 эВ обусловлен зона-зонной рекомбинацией носителей заряда твердого раствора, дополнительный, с энергией 1.33 эВ, – рекомбинацией носителей заряда с участием примесных уровней связи Si–Si (Si$_2$ находится в ковалентной связи с тетраэдрической решеткой матрицы твердого раствора).

Поступила в редакцию: 05.05.2014
Принята в печать: 20.05.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 547–550

Реферативные базы данных:

•