Е. В. Калинина, А. А. Лебедев, Е. Богданова, B. Berenquier, L. Ottaviani, Г. Н. Виолина, В. А. Скуратов, “Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4,страницы 550

Эта публикация цитируется в 22 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения

Е. В. Калинина^a, А. А. Лебедев^a, Е. Богданова^a, B. Berenquier^b, L. Ottaviani^b, Г. Н. Виолина^c, В. А. Скуратов^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b IM2NP, CNRS UMR 7334, Aix Marselle Universite, OPTO-PV, France
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^d Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.

Аннотация: Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе барьеров Шоттки к 4H-SiC формировались на слаболегированных эпитаксиальных слоях, выращенных методом газотранспортной эпитаксии на промышленных подложках. Диодные структуры облучались при температуре 25$^\circ$C тяжелыми ионами Хе массой 131 а.е.м. с энергией 167 МэВ флюенсом 6 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$. Проводились сравнительные оптические и электрические исследования исходных и облученных структур в температурном интервале 23–180$^\circ$C. Особенности изменений фоточувствительности и электрических характеристик детекторных структур объясняются захватом фотоносителей в ловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, с последующей термодиссоциацией.

Поступила в редакцию: 23.09.2014
Принята в печать: 30.09.2014