Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости

А. И. Баранов, А. С. Гудовских, К. С. Зеленцов, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров

Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: С помощью метода спектроскопии полной проводимости проведены исследования уровней дефектов в слоях четверного раствора GaPNAs. В легированных слоях $n$-GaPNAs, выращенных на подложках GaP, обнаружены центры с энергией активации 0.22 эВ и площадью сечения захвата $\sim$ 2.4 $\cdot$ 10$^{-15}$ см$^2$, которые соответствуют ранее известным дефектам в $n$-GaP Si$_{\mathrm{Ga}}$+$V_{\mathrm{P}}$; после отжига их концентрация уменьшается в несколько раз. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках Si и GaP, был обнаружен уровень с глубиной залегания 0.23–0.24 эВ и площадью сечения захвата $\sim$ 9.0 $\cdot$ 10$^{-20}$ см$^2$, концентрация этих центров существенно уменьшается в результате отжига, и при температурах отжига $>$ 600$^\circ$C отклик данных дефектов полностью отсутствует. Для нелегированных слоев GaPNAs, выращенных на подложках GaP, также был обнаружен уровень с энергией активации 0.18 эВ и площадью сечения захвата $\sim$ 1.1 $\cdot$ 10$^{-16}$ см$^2$, концентрация этих центров не изменяется после отжига.

Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 30.05.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 524–528

Реферативные базы данных:

•