Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Поверхностно-барьерные фотопреобразователи с варизонными слоями в области пространственного заряда

Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, А. М. Павелец, Т. В. Семикина, Н. В. Ярошенко

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Реализуется оригинальная возможность управления параметрами поверхностно-барьерных структур $p$-Cu$_{1.8}$S–$n$-A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ путем встраивания тонкого варизонного слоя в область пространственного заряда фотопреобразователя. Учитывается особенность квазиэлектрических полей, встраиваемых в область пространственного заряда, связанная с тем, что увеличение тянущего поля для неосновных носителей тока может сопровождаться уменьшением потенциального барьера для основных носителей. Правильный выбор параметров варизонного слоя Cd$_x$Zn$_{1-x}$S, встроенного в область пространственного заряда структуры Cu$_{1.8}$S–ZnS, позволил увеличить в 2 раза квантовую эффективность в ультрафиолетовой области спектра. Для фотопреобразователей Cu$_{1.8}$S–CdS с промежуточным слоем (CdS)$_x$(ZnSe)$_{1-x}$ достигнуто уменьшение на 3 порядка величины темновых диодных токов при сохранении высокой квантовой эффективности.

Поступила в редакцию: 14.04.2014
Принята в печать: 20.05.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 519–523

Реферативные базы данных:

•