Т. С. Шамирзаев, Н. Г. Галкин, Е. А. Чусовитин, Д. Л. Горошко, А. В. Шевлягин, А. К. Гутаковский, А. А. Саранин, А. В. Латышев, “Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4,страницы 519

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si

Т. С. Шамирзаев^ab, Н. Г. Галкин^cd, Е. А. Чусовитин^c, Д. Л. Горошко^c, А. В. Шевлягин^c, А. К. Гутаковский^ae, А. А. Саранин^dc, А. В. Латышев^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Уральский федеральный университет, 620002 Екатеринбург, Россия
^c Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, 690041 Владивосток, Россия
^d Дальневосточный федеральный университет, г. Владивосток
^e Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследовалась эффективность электролюминесценции (ЭЛ) кремниевых светодиодных структур с несколькими слоями нанокристаллитов $\beta$-FeSi$_2$ в области $p$–$n$-перехода. Нанокристаллиты формировались двумя методами: твердофазной эпитаксии и комбинацией реактивной и твердофазной эпитаксии. Для структур, в которых нанокристаллиты сформированы комбинированным методом, электролюминисценция наблюдается только при низких температурах, менее 70 K, что свидетельствует о высокой концентрации дефектов – центров безызлучательной рекомбинации. При формировании нанокристаллитов методом твердофазной эпитаксии интенсивная электролюминисценция наблюдается вплоть до комнатной температуры. Проанализирована зависимость интенсивности электролюминисценции от размера нанокристаллита.

Поступила в редакцию: 04.08.2014
Принята в печать: 25.08.2014