Эта публикация цитируется в 4 статьях

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах

А. И. Попов^a, С. М. Сальников^ab, Ю. В. Ануфриев<sup>ab

a</sup> Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
^b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН

Аннотация: Разработаны и реализованы три типа ячеек энергонезависимой памяти различных конструкций на фазовых переходах. Рассмотрено влияние конструктивных особенностей ячеек и размеров активной области на характеристики переключения и работоспособность ячеек в целом. Причины отказов ячеек анализировались путем получения серии растровых электронных изображений при послойном травлении образцов. Показано, что с точки зрения переключения в высокоомное состояние конструкция ячейки является наиболее критическим фактором. Проанализированы причины этого и сформулирован критерий для обеспечения устойчивой работы ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах.

Поступила в редакцию: 04.09.2014
Принята в печать: 10.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 498–503

Реферативные базы данных:

•