Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантовый эффект Холла в полупроводниковых системах с квантовыми точками и антиточками

Я. М. Бельтюков^a, А. А. Грешнов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Проведено теоретическое исследование целочисленного квантового эффекта Холла в полупроводниковых системах с квантовыми точками и антиточками в зависимости от температуры. Обнаружено, что условия локализации носителей в системах квантовых точек благоприятствуют наблюдению квантового эффекта Холла при более высоких температурах, чем в системах с квантовыми ямами. Наши численные результаты показывают, что фундаментальное плато, соответствующее переходу между основным и первым возбужденным уровнями Ландау, может сохраняться вплоть до температур $T\sim$ 50 K – на порядок выше, чем для квантовых ям. Для практической реализации квантового эффекта Холла при таких температурах требуются системы квантовых точек с контролируемыми характеристиками: оптимальным размером и концентрацией, умеренными флуктуациями геометрии и состава, и желательно упорядоченным расположением, при этом более предпочтительны квантовые антиточки.

Поступила в редакцию: 31.07.2014
Принята в печать: 23.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 483–491

Реферативные базы данных:

•