А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, Д. В. Денисов, А. Ю. Егоров, “Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4,страницы 489

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, Е. В. Пирогов, Д. В. Денисов, А. Ю. Егоров

Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)

Аннотация: Oбсуждаются структурные и оптические свойства гетероструктур со слоями тройных и четверных твердых растворов GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках фосфида галлия и кремния. Исследование структур проводилось методами рентгеновской дифракции высокого разрешения и фотолюминесценции в широком температурном диапазоне 10–300 K. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции твердых растворов с малой долей азота ($x<$ 0.007) наблюдаются четко разрешающиеся узкие линии, связанные с локализованными состояниями азотных пар, и их фононные реплики.

Поступила в редакцию: 22.09.2014
Принята в печать: 30.09.2014