Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN

А. В. Саченко^a, А. Е. Беляев^a, Н. С. Болтовец^b, П. Н. Брунков^cd, В. Н. Жмерик^c, С. В. Иванов^c, Л. М. Капитанчук^e, Р. В. Конакова^a, В. П. Кладько^a, П. Н. Романец^a, П. О. Сай^a, Н. В. Сафрюк^a, В. Н. Шеремет<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Государственное предприятие НИИ "Орион", 03057 Киев, Украина
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^e Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины

Аннотация: Измерены температурные зависимости удельного контактного сопротивления $(\rho_c)$ омических контактов на основе системы Au–Ti–Pd–InN при уровне легирования InN 2 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$, в диапазоне температур от 4.2 до 300 K. При температурах $T>$ 150 K получены линейно растущие зависимости $\rho_c(T)$. Зависимости объяснены в рамках механизма протекания термоэмиссионного тока через металлические шунты, сопряженные с дислокациями. Достигнуто хорошее согласие теоретических зависимостей с экспериментом. Оно получено в предположениях, что протекающий ток ограничивается суммарным сопротивлением металлических шунтов, а плотность проводящих дислокаций составляет $\sim$ 5 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$. Методом рентгеновской дифрактометрии измерена плотность винтовых и краевых дислокаций в исследованной структуре, и установлено, что их суммарная плотность превышает 10$^{10}$ см$^{-2}$.

Поступила в редакцию: 31.07.2014
Принята в печать: 04.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 461–471

Реферативные базы данных:

•