Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Развитие дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников

А. М. Емельянов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для ряда $p^+$–$n$-структур, изготовленных из монокристаллического кремния по различным технологиям, измерены положения максимумов производных спектров электролюминесценции при комнатной температуре. Положения этих максимумов с хорошей точностью соответствовали краю фундаментального поглощения кремния с участием ТО-фононов и образованием свободных экситонов. Представленные результаты, в дополнение к ранее опубликованным данным, обосновывают высокую эффективность дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников.

Поступила в редакцию: 16.09.2014
Принята в печать: 18.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 452–455

Реферативные базы данных:

•