Аннотация:
Исследована фотолюминесценция кристаллов Ga$_2$S$_3$, активированных как отдельными ионами Eu$^{2+}$ и Tb$^{3+}$, так и ионами обоих типов, в области температур 77–300 K. Установлено, что наблюдаемая широкополосная фотолюминесценция кристаллов (Ga$_2$S$_3$)$_{0.95}$ : (Eu$_2$O$_3$)$_{0.05}$ в области 77–300 K с максимумом при 545 нм связана с внутрицентровыми переходами $4f^65d-4f^7(^8S_{7/2})$ ионов Eu$^{2+}$, а фотолюминесценция с максимумами при 492, 544, 584, 625 и 680 нм кристаллов (Ga$_2$S$_3$)$_{0.99}$(Tb$_2$O$_3$)$_{0.01}$ обусловлена внутрицентровыми переходами $5d\to{}^2F_j$ ($j$ = 6–2) ионов Tb$^{3+}$. Показано, что исчезновение полос фотолюминесценции ионов Tb$^{3+}$ в кристаллах (Ga$_2$S$_3$)$_{0.94}$(Eu$_2$O$_3$)$_{0.05}$(Tb$_2$O$_3$)$_{0.01}$ связано с передачей энергии возбуждения от иона Tb$^{3+}$ к иону Eu$^{2+}$, т. е. ион Tb$^{3+}$ является сенсибилизатором фотолюминесценции иона Eu$^{2+}$.
Поступила в редакцию: 13.03.2014 Принята в печать: 12.05.2014