Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области смены механизма переноса

М. А. Ормонт, И. П. Звягин

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Проведен анализ особенностей частотной зависимости импеданса неупорядоченных полупроводников при низких температурах для прыжкового механизма проводимости. Основное внимание уделено наблюдаемым расхождениям между экспериментом и существующей теорией, связанным с видом частотной зависимости вещественной части проводимости $\sigma_1(\omega)$ в области кроссовера от линейной к квадратичной зависимости (“излом” на кривых зависимости $\ln\sigma_1$ от $\ln\omega$), а также с аномально большими измеряемыми значениями $\operatorname{ctg}\gamma$ ($\gamma$ – угол диэлектрических потерь). Эти расхождения можно описать на основе подхода, принимающего во внимание как фононный, так и резонансный вклады в проводимость, а также переход к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка при частотах, превышающих частоту кроссовера.

Поступила в редакцию: 16.09.2014
Принята в печать: 23.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 437–441

Реферативные базы данных:

•