Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4,страницы 444

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов

Н. Л. Баженов^a, К. Д. Мынбаев^ab, Г. Г. Зегря^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: В рамках микроскопической модели анализируется температурная зависимость времени жизни носителей заряда в твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te в температурном диапазоне 5 $<T<$ 300 K для составов с узкой запрещенной зоной. Основное внимание уделено анализу механизма оже-рекомбинации, который определяет время жизни при высоких температурах. Выполнен расчет скорости оже-рекомбинации с учетом особенностей зонной структуры узкощелевого полупроводника в рамках микроскопической теории. Показано, что строгий учет непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках модели Кейна приводит к существенно другой температурной зависимости скорости оже-рекомбинации по сравнению с полученной в рамках подхода, в котором непараболичность не учитывается.

Поступила в редакцию: 23.07.2014
Принята в печать: 03.09.2014