RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 4, страницы 440–443 (Mi phts7252)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Низкотемпературная проводимость в монокристаллах CuGaS$_2$

Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, Л. Н. Алиева, И. Гасымоглу, Т. Г. Керимова

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджанской Республики, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Методом Бриджмена–Стокбаргера получены монокристаллы CuGaS$_2$, проведены рентгено-дифракционные и рамановские исследования. Показано, что при низких температурах проводимость имеет активационный характер: в области 100–300 K доминирует примесная проводимость с энергией активации акцепторов 12 мэВ, а при температурах ниже 100 K – моттовская проводимость, так называемая прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность локализованных состояний, средняя длина прыжка носителей заряда.

Поступила в редакцию: 16.04.2014
Принята в печать: 12.05.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 428–431

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026