Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si

А. С. Паршин^a, А. Ю. Игуменов^a, Ю. Л. Михлин^b, О. П. Пчеляков^c, А. И. Никифоров^c, В. А. Тимофеев<sup>c

a</sup> Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Красноярск
^b Институт химии и химической технологии СО РАН, г. Красноярск
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Спектры потерь энергии отраженных электронов получены для серии образцов Si, приготовленных при различных технологических условиях, имеющих разную кристаллографическую ориентацию. Из этих экспериментальных спектров вычислены зависимости произведения средней длины неупругого пробега и дифференциального сечения неупругого рассеяния электронов от потерь энергии электронов. Предложен метод анализа спектров сечения неупругого рассеяния электронов посредством моделирования экспериментальных спектров с помощью трехпараметрических универсальных функций сечения Тоугаарда. Результаты моделирования применены для определения природы пиков потерь и расчета поверхностного параметра.

Поступила в редакцию: 04.08.2014
Принята в печать: 25.08.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 423–427

Реферативные базы данных:

•