Эта публикация цитируется в 1 статье

Образование “квазимолекул” S$_2$ в кремнии, легированном серой

В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована кинетика образования комплекса S$_2$ в кремнии, легированном серой. Показано сходство процесса образования “квазимолекул” халькогена в Si : S и Si : Se. Разница состоит в величине энергии связи в “квазимолекуле” – для S$_2$ она в 1.5 раза ниже, чем для комплекса Se$_2$.

Поступила в редакцию: 09.09.2014
Принята в печать: 15.09.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:4, 421–422

Реферативные базы данных:

•