Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрооптические свойства и структурные особенности аморфного ITO

Л. П. Амосова

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Магнетронным напылением на холодные подложки нанесены тонкие пленки оксида индия и олова (ITO). Исследованы зависимости их структурных, электрических и оптических свойств от содержания кислорода в атмосфере напыления и скорости роста. Показано, что при температурах подложек, не превышающих температуру кристаллизации ITO, при отклонении от оптимального соотношения между давлением кислорода и скоростью роста пленки сопротивление слоев может на 6–7 порядков превосходить сопротивление проводящих аморфных слоев и достигать сотен МОм. При этом оптические свойства изолирующих слоев в видимой области спектра практически полностью идентичны свойствам проводящей аморфной модификации. Предложена концептуальная модель дефектов, ответственных за диэлектрические свойства аморфного ITO.

Поступила в редакцию: 24.04.2014
Принята в печать: 12.05.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 414–418

Реферативные базы данных:

•