С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, А. В. Ершов, А. И. Машин, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3,страницы 421

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции

С. Ю. Турищев^a, В. А. Терехов^a, Д. А. Коюда^a, Д. Е. Спирин^a, Е. В. Паринова^a, Д. Н. Нестеров^a, Д. А. Грачев^b, И. А. Карабанова^b, А. В. Ершов^b, А. И. Машин^b, Э. П. Домашевская^a

^a Воронежский государственный университет
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Представлены результаты исследования методом спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения ($X$-ray absorption near edge structure spectroscopy technique, XANES) с использованием синхротронного излучения многослойных нанопериодических структур (МНС) Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100), отожженных при температурах 500–1100$^\circ$C. По данным XANES, обнаружена модификация структур под действием высокотемпературного ($\sim$ 1100$^\circ$C) отжига, объясняемая формированием нанокристаллов кремния в глубинных слоях. При этом наноструктуры характеризовались интенсивной размерно-зависимой фотолюминесценцией в области энергий $\sim$ (1.4–1.52) эВ.

Поступила в редакцию: 22.04.2014
Принята в печать: 12.05.2014