Н. А. Соболев, Д. В. Данилов, О. В. Александров, А. С. Лошаченко, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, И. Н. Трапезникова, “Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3,страницы 418

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода

Н. А. Соболев^a, Д. В. Данилов^ab, О. В. Александров^c, А. С. Лошаченко^ab, В. И. Сахаров^a, И. Т. Серенков^a, Е. И. Шек^a, И. Н. Трапезникова^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Обнаружено, что имплантация кремния ионами кислорода и последующий отжиг при высоких температурах сопровождаются образованием электрически активных донорных центров и $p$–$n$ конверсией типа проводимости кремния. Их концентрация и пространственное распределение зависят от температуры отжига. Результаты объясняются взаимодействием атомов кислорода с собственными точечными дефектами, образующимися при отжиге имплантационных нарушений.

Поступила в редакцию: 10.07.2014
Принята в печать: 25.08.2014