Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge

Д. О. Филатов^a, А. П. Горшков^b, Н. С. Волкова^b, Д. В. Гусейнов^b, Н. А. Алябина^a, М. М. Иванова^c, В. Ю. Чалков^a, С. А. Денисов^a, В. Г. Шенгуров<sup>a

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова

Аннотация: Исследована зависимость спектров фоточувствительности фотодиодов на основе Si $p$–$i$–$n$-структур с одно- и многослойными массивами самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001) в $i$-области, выращенных комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge, от температуры, напряжения смещения на диоде и параметров наноостровков GeSi. Показано, что зависимость фоточувствительности диодов в спектральной области межзонного оптического поглощения наноостровков GeSi от температуры и напряжения смещения определяется соотношением скорости эмиссии фотовозбужденных дырок из наноостровков GeSi и скорости рекомбинации избыточных носителей в островках. Показана возможность определения рекомбинационного времени жизни дырок в наноостровках GeSi из температурных и полевых зависимостей фоточувствительности.

Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 03.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 387–393

Реферативные базы данных:

•