Эта публикация цитируется в 7 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Кинетика фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных методом Ленгмюра–Блоджетт

А. А. Зарубанов^a, К. С. Журавлев<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Иследована кинетика фотолюминесценции нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт, при температуре 5 K. Кинетика фотолюминесценции описывается суммой двух экспонент, с характерными временами около 30 и 160 нс. Обнаружено, что быстрое и медленное времена затухания возрастают с увеличением размера нанокристаллов. Анализ данных показал, что быстрое время затухания определяется рекомбинацией трионов в нанокристаллах с дефектами, а медленное время затухания – рекомбинацией оптически неактивных экситонов в нанокристаллах без дефектов. Установлено, что с уменьшением размера нанокристаллов снижается доля дефектных нанокристаллов вследствие увеличения энергии образования дефектов.

Поступила в редакцию: 04.08.2014
Принята в печать: 25.08.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 380–386

Реферативные базы данных:

•