Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами

Н. В. Байдусь^a, О. В. Вихрова^a, Б. Н. Звонков^a, Е. И. Малышева^a, А. Н. Труфанов<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова

Аннотация: Было изучено влияние нейтронного облучения на люминесценцию гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками. Обнаружено, что в результате нейтронного облучения происходит как дефектообразование, так и радиационный отжиг ростовых дефектов. Квантовые точки более устойчивы к нейтронному облучению в сравнении с квантовыми ямами. Показано, что слой квантовых точек InAs/GaAs, расположенный вблизи поверхности, менее чувствителен к облучению нейтронами в сравнении с его объемным расположением. В этом случае может наблюдаться увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции после нейтронного облучения, связанное с эффектами радиационного отжига. Обнаружено большое влияние упругих напряжений в квантовых ямах InGaAs/GaAs на степень гашения интенсивности фотолюминесценции при облучении нейтронами. В гетероструктурах с квантовыми ямами эффект радиационного отжига проявляется в длинноволновом сдвиге пика фотолюминесценции вследствие уменьшения упругих напряжений после нейтронного облучения. Легирование кремнием буферного слоя GaAs также уменьшает величину этого спектрального сдвига.

Поступила в редакцию: 22.07.2014
Принята в печать: 25.08.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 358–363

Реферативные базы данных:

•